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    三靶磁控濺射的簡介

    日期:2022-02-02 07:36
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    摘要:
    三靶磁控濺射的簡介
      三靶磁控濺射是一種用于材料科學領域的工藝試驗儀器,于2019年1月1日啟用。
    技術指標
      樣品能加熱到600℃,控制精度不大于±1℃;射頻電源頻率13.56MHZ,功率0-600W可調,功率不穩定度≤2W,自動匹配調節,配備自動匹配器,匹配時間精度不大于5秒。高性能真空系統,極限真空6×10-5Pa;沉積200nm的薄膜。在3英寸平面基底上十字交叉取9個點進行測試。薄膜厚度不均勻性≤±5%,邊緣去除5mm。 
    主要功能
      三靶磁控濺射可使用單/雙/三靶對同一基片進行磁控濺射鍍膜實驗,配備加熱系統可以將抽真空速度加快,本底真空降低;可使用雙/三靶濺射制備摻雜薄膜,較非摻雜薄膜性質變多,性能不同,更利于發現新功能、高性能薄膜。設備自動化程度較高,開/關機配備一鍵啟動/關閉功能,方便操作。

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